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新型永久防静电周转箱问世 半导体封装良率提升超 3%
来源: | 作者:pmo00fdc2 | 发布时间: 2026-03-27 | 54 次浏览 | 🔊 点击朗读正文 ❚❚ ▶ | 分享到:
国内新材料企业推出碳纳米管复合防静电周转箱，表面电阻稳定在 10⁶–10⁹Ω，耐高低温、可循环使用 5 年以上，经头部封测厂验证，有效降低静电击穿风险，产品良率显著提升。

国内新材料企业推出碳纳米管复合防静电周转箱，表面电阻稳定在 10⁶–10⁹Ω，耐高低温、可循环使用 5 年以上，经头部封测厂验证，有效降低静电击穿风险，产品良率显著提升。